MOSFET singoli Microchip, canale Tipo N 250 V, 6 Ω Depletion, 360 mA, 3 Pin, SOT-89, Superficie DN3525N8-G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
649-455
Codice costruttore:
DN3525N8-G
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

360mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Tipo di package

SOT-89

Serie

DN3525

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6Ω

Modalità canale

Depletion

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Tensione diretta Vf

1.8V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.6W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

Lead (Pb)-free/RoHS

Standard automobilistico

No

Il transistor Microchip (normalmente attivo) a bassa soglia in modalità di esaurimento utilizza un'avanzata struttura DMOS verticale e un collaudato processo di produzione con gate in silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le capacità di gestione della potenza dei transistor bipolari e con l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo tipico dei dispositivi MOS.

Impedenza di ingresso elevata

Bassa capacità di ingresso

Velocità di commutazione rapide

Bassa resistenza in stato attivo

Privo di scarica secondaria

Bassa perdita in ingresso e in uscita

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