MOSFET Microchip, canale Tipo N 350 V, 35 Ω Depletion, 135 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1065,00 €

(IVA esclusa)

1299,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 9000 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,355 €1.065,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
165-5144
Codice costruttore:
DN3135K1-G
Costruttore:
Microchip
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Microchip

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

135mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

350V

Serie

DN3135

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

35Ω

Modalità canale

Depletion

Tensione diretta Vf

1.8V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.3W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.4 mm

Lunghezza

3.04mm

Standard/Approvazioni

Lead (Pb)-free/RoHS

Altezza

1.02mm

Standard automobilistico

No

DN3135 è un transistor (normalmente attivo) a bassa soglia in modalità di esaurimento che utilizza una struttura DMOS verticale avanzata e un processo di produzione comprovato di gate di silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari con l'alta impedenza di ingresso e il coefficiente intrinseco di temperatura positivo dei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di fuga termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I FET DMOS verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono un'elevata tensione di scarica distruttiva, un’alta impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapide velocità di commutazione.

Elevata impedenza di ingresso

Bassa capacità d'ingresso

Velocità elevata di commutazione

Bassa resistenza in stato attivo

Privi di scarica secondaria

Bassa dispersione in ingresso e in uscita

Link consigliati