MOSFET Microchip, canale N, 35 Ω, 72 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

La gamma di transistor DMOS FET con modalità di esaurimento a canale N Supertex di Microchip è ideale per le applicazioni che richiedono un'elevata tensione di scarica distruttiva, alta impedenza di ingresso, bassa capacità di ingresso e rapida velocità di commutazione.

Elevata impedenza di ingresso
Bassa capacità d'ingresso
Velocità elevata di commutazione
Bassa resistenza all'accensione
Privi di scarica secondaria
Bassa dispersione in ingresso e in uscita

Interruttori normalmente attivi
Relè a stato solido
Convertitori
Amplificatori lineari
Sorgenti di corrente costante
Circuiti di alimentazione
Telecomunicazioni

DN3135 è un transistor (normalmente attivo) a bassa soglia in modalità di esaurimento che utilizza una struttura DMOS verticale avanzata e un processo di produzione comprovato di gate di silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari con l'alta impedenza di ingresso e il coefficiente intrinseco di temperatura positivo dei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di fuga termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I FET DMOS verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono un'elevata tensione di scarica distruttiva, un’alta impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapide velocità di commutazione.

Elevata impedenza di ingresso
Bassa capacità d'ingresso
Velocità elevata di commutazione
Bassa resistenza in stato attivo
Privi di scarica secondaria
Bassa dispersione in ingresso e in uscita

Transistor MOSFET, Microchip