MOSFET Microchip, canale Tipo P 350 V MOSFET, -200 mA, 3 Pin, SOT-23, Foro passante

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1701,00 €

(IVA esclusa)

2076,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Per ordini inferiori a 60,00 € (IVA esclusa) il costo della spedizione è 9,50 €.
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 03 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,567 €1.701,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
264-8931
Codice costruttore:
TP5335K1-G
Costruttore:
Microchip
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Microchip

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-200mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

350V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Modalità canale

MOSFET

Dissipazione di potenza massima Pd

0.36W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale P Microchip a bassa soglia, in modalità di potenziamento (normalmente spento) utilizza una struttura DMOS verticale avanzata e un collaudato processo di fabbricazione con gate in silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le capacità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari e con l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo inerenti ai dispositivi MOS. Caratteristico di tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di dispersione termica e rottura secondaria indotta termicamente. I FET DMOS verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione in cui si desidera un'elevata tensione di rottura, un'elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e velocità di commutazione elevate.

Elevata impedenza di ingresso e alto guadagno

Requisiti di azionamento a bassa potenza

Facilità di collegamento in parallelo

Bassa CISS e velocità di commutazione elevate

Eccellente stabilità termica

Diodo sorgente-drenaggio integrato

Esente da guasti secondari

Link consigliati