MOSFET onsemi, canale P, 350 mΩ, 1,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 163-1137
Codice costruttore:: NTR4502PT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 350 mΩ, 1,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 163-1137
Codice costruttore:: NTR4502PT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	1,9 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	350 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Dissipazione di potenza massima	1,25 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	6 nC a 10 V
Lunghezza	2.9mm
Larghezza	1.3mm
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale P, 350 mΩ, 1,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P da 30 V a 500 V, ON Semiconductor

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