MOSFET onsemi, canale Tipo P 20 V, 350 mΩ Miglioramento, 1.3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie NTR1P02LT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
186-8957
Codice costruttore:
NTR1P02LT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

1.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

350mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.1nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

400mW

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.04mm

Larghezza

1.4 mm

Altezza

1.01mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Questi MOSFET a montaggio superficiale miniaturizzati con bassa RDS(on) garantiscono una perdita di potenza minima e consentono di risparmiare energia, rendendo questi dispositivi ideali per l'uso in circuiti di gestione dell'alimentazione sensibili allo spazio. Le applicazioni tipiche di questi MOSFET a piccolo segnale a canale P sono convertitori dc-dc e gestione dell'alimentazione in prodotti portatili e alimentati a batteria come computer, stampanti, schede PCMCIA, telefoni cellulari e cordless.

RDS(on) basso fornisce un'efficienza superiore ed aumenta la durata della batteria

Il pacchetto miniaturizzato SOT-23 misura superficie risparmia spazio sulla scheda

Prodotti finali

Computer

Stampanti

Schede PCMCIA

Telefoni cellulari e cordless

Applications

Convertitori cc-cc

Gestione dell'alimentazione nei prodotti portatili e alimentati a batteria

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