MOSFET onsemi, canale Tipo P 20 V, 350 mΩ Miglioramento, 1.3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie NTR1P02LT3G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
808-0060
Codice costruttore:
NTR1P02LT3G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

1.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

350mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±12 V

Dissipazione di potenza massima Pd

400mW

Tensione diretta Vf

-1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.1nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.4 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.01mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza a canale P, 20 V, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


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