MOSFET onsemi, canale P, 350 mΩ, 1,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 808-0060
Codice costruttore:: NTR1P02LT3G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 350 mΩ, 1,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 808-0060
Codice costruttore:: NTR1P02LT3G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	1,3 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	350 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.25V
Dissipazione di potenza massima	400 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	3,1 nC a 4,5 V
Lunghezza	3.04mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1.01mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale P, 350 mΩ, 1,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale P, 20 V, ON Semiconductor

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