MOSFET onsemi, canale Tipo P 20 V, 350 mΩ Miglioramento, 1.3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
163-0800
Codice costruttore:
NTR1P02LT3G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

350mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

400mW

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.1nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±12 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.01mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.04mm

Larghezza

1.4 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza a canale P, 20 V, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


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