MOSFET Microchip, canale Tipo N 350 V, 15 Ω MOSFET, 230 mA, 3 Pin, SOT-23, Foro passante TN5335K1-G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
264-8925
Codice costruttore:
TN5335K1-G
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

230mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

350V

Tipo di package

SOT-23

Serie

TN5335

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

15Ω

Modalità canale

MOSFET

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.8V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.6W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.12mm

Lunghezza

2.9mm

Larghezza

1.3 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N Microchip con modalità di potenziamento a bassa soglia (normalmente spento) utilizza una struttura DMOS verticale e un collaudato processo di fabbricazione con gate in silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le capacità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari e l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo inerenti ai dispositivi MOS. Caratteristico di tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di dispersione termica e rottura secondaria indotta termicamente. I FET DMOS verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione in cui si desidera una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di rottura, un'elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e velocità di commutazione elevate.

Soglia bassa

Elevata impedenza di ingresso

Bassa capacità di ingresso

Velocità di commutazione rapida

Bassa resistenza in stato attivo

Esente da guasti secondari

Bassa dispersione in ingresso e in uscita

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