MOSFET Microchip, canale Tipo N 500 V Depletion, 3 Pin, SOT-23, Superficie LND150K1-G
- Codice RS:
- 333-174
- Codice costruttore:
- LND150K1-G
- Costruttore:
- Microchip
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
1302,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,434 € | 1.302,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 333-174
- Codice costruttore:
- LND150K1-G
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 500V | |
| Serie | LND150 | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V | ||
Serie LND150 | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Modalità canale Depletion | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il transistor a modalità di deplezione a canale N ad alta tensione di Microchip utilizza la tecnologia DMOS laterale di Supertex. Il gate è protetto da ESD. È ideale per le applicazioni ad alta tensione nei settori degli interruttori normalmente attivi, delle sorgenti di corrente costante di precisione, della generazione di rampe di tensione e dell'amplificazione.
Privo di guasti secondari
Requisiti di pilotaggio a bassa potenza
Facilità di parallelismo
Eccellente stabilità termica
Diodo di drenaggio integrale della sorgente
Alta impedenza di ingresso e basso CISS
Protezione del gate ESD
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