MOSFET Infineon, canale N, 700 Ω, 21 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 753-2838
Codice costruttore:: BSS126H6327XTSA2
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 700 Ω, 21 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 753-2838
Codice costruttore:: BSS126H6327XTSA2
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	21 mA
Tensione massima drain source	600 V
Serie	SIPMOS®
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	700 Ω
Modalità del canale	Depletion
Tensione di soglia gate massima	1.6V
Tensione di soglia gate minima	2.7V
Dissipazione di potenza massima	500 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	2.9mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	1,4 nC a 5 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.3mm
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET Infineon, canale N, 700 Ω, 21 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N Infineon SIPMOS®

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