Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale Tipo N 250 V, 3.5 mΩ Depletion, 0.1 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS139H6327XTSA1

Codice RS:: 250-0544
Codice Distrelec:: 304-40-498
Codice costruttore:: BSS139H6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 250 V, 3.5 mΩ Depletion, 0.1 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS139H6327XTSA1

Sconto per quantità disponibile

Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

3,70 €

(IVA esclusa)

4,50 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

In magazzino

6390 unità pronte per la spedizione da un'altra sede

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per confezione*
10 - 90	0,37 €	3,70 €
100 - 240	0,352 €	3,52 €
250 - 490	0,336 €	3,36 €
500 - 990	0,322 €	3,22 €
1000 +	0,259 €	2,59 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 250-0544
Codice Distrelec:: 304-40-498
Codice costruttore:: BSS139H6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	0.1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	250V
	Tipo di package	SOT-23
	Serie	BSS
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	3.5mΩ
	Modalità canale	Depletion
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	80nC
	Tensione diretta Vf	1V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	81W
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 0.1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V
	Tipo di package SOT-23
	Serie BSS
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.5mΩ
	Modalità canale Depletion
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC
	Tensione diretta Vf 1V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 81W
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - BSS139H6327XTSA1

Il transistor a piccolo segnale SIPMOS di Infineon è un transistor MOSFET a piccolo segnale in modalità di esaurimento canale N ampiamente utilizzato in applicazioni ad alta commutazione. È a valanga e senza alogeni. È classificato dv/dt. È disponibile con indicatore VGS(th) sulla bobina. È alogeno e ha una placcatura al piombo senza Pb.

Placcatura del cavo senza piombo

La dissipazione di potenza massima è di 360 mW

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.

MOSFET Infineon, canale Tipo N 250 V, 3.5 mΩ Depletion, 0.1 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS139H6327XTSA1

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Prezzo per quantità

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!