MOSFET Infineon, canale Tipo N 250 V, 3.5 mΩ Depletion, 0.1 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS139H6327XTSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
250-0544
Codice Distrelec:
304-40-498
Codice costruttore:
BSS139H6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

0.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Tipo di package

SOT-23

Serie

BSS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5mΩ

Modalità canale

Depletion

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor a piccolo segnale SIPMOS di Infineon è un transistor MOSFET a piccolo segnale in modalità di esaurimento canale N ampiamente utilizzato in applicazioni ad alta commutazione. È a valanga e senza alogeni. È classificato dv/dt. È disponibile con indicatore VGS(th) sulla bobina. È alogeno e ha una placcatura al piombo senza Pb.

Placcatura del cavo senza piombo

La dissipazione di potenza massima è di 360 mW

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