Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale Tipo N 250 V, 12.5 Ω Depletion, 100 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Codice RS:: 225-0562
Codice costruttore:: BSS139IXTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 250 V, 12.5 Ω Depletion, 100 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:: 225-0562
Codice costruttore:: BSS139IXTSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	100mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	250V
	Tipo di package	SOT-23
	Serie	BSS139I
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	12.5Ω
	Modalità canale	Depletion
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	0.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd	0.36W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	2.3nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	3.04mm
	Altezza	1.12mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 100mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V
	Tipo di package SOT-23
	Serie BSS139I
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 12.5Ω
	Modalità canale Depletion
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 0.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd 0.36W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 2.3nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 3.04mm
	Altezza 1.12mm
	Standard automobilistico No

Datasheet-BSS139IXTSA1

Infineon BSS139I è un MOSFET a canale N e P di potenza piccolo e a segnale ridotto che offre un'ampia gamma di livelli VGS(th) e valori RDS(on), nonché classi di tensione multiple. Questo MOSFET è dotato di opzioni di ottimizzazione e modalità di svuotamento.

Spazio su circuito stampato e risparmio sui costi

Flessibilità dello stadio pilota

Riduzione della complessità di progettazione

Ecologico

Elevata efficienza complessiva

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