MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 12000 mΩ Depletion, 170 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS169H6327XTSA1

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Codice RS:
250-0550
Codice costruttore:
BSS169H6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

170mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SOT-23

Serie

BSS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12000mΩ

Modalità canale

Depletion

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie BSS, tensione drain-source 100 V, corrente di drenaggio continua 0,17 A - BSS169H6327XTSA1


Questo MOSFET è un transistor a canale N in modalità di esaurimento in un pacchetto compatto a montaggio superficiale progettato per il controllo e la commutazione in assemblaggi limitati. Funziona in un'ampia gamma di ambienti ed è adatto per ambienti elettricamente impegnativi in cui sono richieste resistenza termica e controllo dei gate a bassa tensione. Il dispositivo è conforme alla direttiva RoHS e soddisfa le qualifiche automobilistiche per l'impiego nell'elettronica dei veicoli.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il canale di esaurimento consente il funzionamento normalmente acceso per circuiti a prova di guasti
• L'ampia tolleranza di temperatura consente il funzionamento da -55 °C a +150 °C
• La bassa corrente continua supporta un controllo di precisione a bassa corrente
• L'elevata tensione nominale protegge contro i transienti fino a 100 V
• Il contenitore SOT‐23 offre un assemblaggio compatto a montaggio superficiale

Applicazioni


• Ideale per reti di polarizzazione analogica e di spostamento di livello
• Adatto per la commutazione di carichi a piccolo segnale nei moduli di controllo
• Utilizzato con interfacce per sensori che richiedono un comportamento normalmente attivo
• Può essere utilizzato per circuiti ausiliari automobilistici conformi a AEC‐Q101
• Adatto per sottocircuiti compatti di gestione dell'alimentazione

Qual è la tensione massima da gate a sorgente che il dispositivo può accettare?


Tollera fino a 20 V tra gate e sorgente.

Quanta potenza può dissipare durante il funzionamento?


Il dispositivo ha una dissipazione di potenza massima di 81 W.

Quale carica di gate devono prevedere i progettisti a Vgs?


La carica totale del gate tipica è di 80 nC misurata all'azionamento del gate specificato.

Qual è la caratteristica di resistenza all'accensione rilevante per la pianificazione termica?


La resistenza massima drain-source è di 12 000 mΩ in condizioni specifiche.

Questo dispositivo è confezionato per l'assemblaggio automatizzato di circuiti stampati?


Sì, viene fornito in un contenitore SOT‐23 a montaggio superficiale.

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