MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 3.5 mΩ Depletion, 0.9 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS169H6327XTSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
250-0551
Codice costruttore:
BSS169H6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

0.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SOT-23

Serie

BSS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5mΩ

Modalità canale

Depletion

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Distrelec Product Id

304-40-500

Infineon rende il transistor MOSFET di piccolo segnale in modalità di esaurimento canale N ampiamente utilizzato in applicazioni ad alta commutazione. È a valanga e senza alogeni. Si tratta di un transistor SIPMOS a piccolo segnale, con valore nominale dv /dt e disponibile con indicatore V GS(th) sulla bobina.

VDS è 100 V, Rds(on), max 12 W e IDSS, min è 0,09 A

Dissipazione di potenza massima 360 mW

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