MOSFET singoli Microchip, canale Tipo N 600 V Miglioramento, 250 mA, 3 Pin, SOT-89, Foro passante VN2460N8-G

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Codice RS:
598-312
Codice costruttore:
VN2460N8-G
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

250mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

SOT-89

Serie

VN2460

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.6mm

Lunghezza

4.6mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

2.6 mm

Standard automobilistico

No

Il transistor MOSFET verticale in modalità di potenziamento a canale N Microchip è un transistor normalmente spento che utilizza una struttura DMOS verticale e un collaudato processo di fabbricazione con gate al silicio. Questa combinazione fornisce le capacità di gestione della potenza dei transistor bipolari, offrendo al contempo l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo tipici dei dispositivi MOS. Come per tutte le strutture MOS, il dispositivo è privo di fuga termica e rottura secondaria indotta termicamente, garantendo prestazioni affidabili anche in condizioni difficili.

Privo di scarica secondaria

Basso requisito di potenza di azionamento

Facilità di collegamento in parallelo

Eccellente stabilità termica

Diodo di drenaggio sorgente integrato

Elevata impedenza di ingresso ed elevato guadagno

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