MOSFET Infineon, canale N 600 V, 45 Ω Miglioramento, 90 mA, 3 Pin, SOT-89 BSS225H6327FTSA1

Questo MOSFET è un transistor a canale N in modalità di potenziamento progettato per la commutazione ad alta tensione e a bassa corrente in contenitori SOT-89 compatti. Funziona in un ampio intervallo di temperature adatto per ambienti difficili e soddisfa gli standard di qualificazione automobilistica, rispettando al contempo i requisiti ambientali RoHS.

• La tensione massima drain-source di 600 V consente la commutazione ad alta tensione
• La resistenza massima drain-source di 45 Ω limita le perdite in stato di spegnimento
• La corrente di drenaggio continua di 0,09 A supporta circuiti di controllo a bassa corrente
• L'intervallo di funzionamento da -55 °C a 150 °C consente l'uso a temperature estreme
• Il pacchetto SOT-89 riduce l'ingombro della scheda per layout compatti

• Adatto per circuiti di controllo automobilistici a bassa corrente
• Ideale per la commutazione di segnali ad alta tensione
• Utilizzato con sensori industriali che necessitano di un'ampia tolleranza alla temperatura
• Può essere utilizzato per moduli di gestione dell'alimentazione compatti
• Adatto per progetti che richiedono componenti di livello automobilistico

Utilizza un pacchetto SOT-89 che offre un ingombro ridotto e un percorso termico adatto per implementazioni di transistor a bassa potenza e alta tensione.

Soddisfa la certificazione AEC-Q101 e funziona in un ampio intervallo di temperature, adatto all'elettronica dei veicoli.

Il dispositivo è a canale N e disposto in modalità di potenziamento, fornendo una conduzione controllabile quando azionato.

È conforme ai requisiti RoHS, che indicano la restrizione di alcune sostanze pericolose nella sua struttura.