MOSFET Infineon, canale N 60 V, 90 mΩ Miglioramento, 3.2 A, 4 Pin, SOT-89, Superficie BSS606NH6327XTSA1
- Codice RS:
- 110-7170
- Codice Distrelec:
- 304-36-979
- Codice costruttore:
- BSS606NH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 50 unità*
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,498 € | 24,90 € |
| 100 - 450 | 0,311 € | 15,55 € |
| 500 - 950 | 0,295 € | 14,75 € |
| 1000 - 2450 | 0,233 € | 11,65 € |
| 2500 + | 0,205 € | 10,25 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 110-7170
- Codice Distrelec:
- 304-36-979
- Codice costruttore:
- BSS606NH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3.2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Tipo di package | SOT-89 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 90mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1W | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 3.7nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 4.5mm | |
| Larghezza | 2.5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3.2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Tipo di package SOT-89 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 90mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1W | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3.7nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 4.5mm | ||
Larghezza 2.5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.5mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon OptiMOS serie 3, tensione massima della sorgente di drenaggio di 60 V, corrente di drenaggio continua massima di 3,2 A - BSS606NH6327XTSA1
Caratteristiche e vantaggi:
• Il basso valore di RDS(on) di 90 mΩ riduce le perdite di conduzione nei percorsi di potenza
• La corrente di drenaggio continua di 3,2 A supporta l'azionamento di carichi moderati
• La tensione diretta di 1,1 V riduce al minimo la caduta di tensione nella conduzione del diodo
• La carica gate tipica di 3,7 nC consente un controllo di commutazione efficiente
• La tolleranza del gate di 20 V consente tensioni di azionamento del gate flessibili
Applicazioni
• Ideale per gli stadi di commutazione dei convertitori CC/CC
• Utilizzato nelle interfacce del gate driver di controllo del motore
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico nei moduli telematici
• Adatto per la distribuzione dell'alimentazione in sistemi integrati
Quali sono le dimensioni del contenitore e il fattore di forma utilizzato?
Come fa a gestire gli ambienti termici estremi?
Quale configurazione dei pin e stile di montaggio devono aspettarsi i progettisti?
Quale modalità di conduzione del canale utilizza e come influisce sul comportamento del circuito?
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