MOSFET Infineon, canale N 40 V, 3.2 mΩ Miglioramento, 90 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD90N04S403ATMA1
- Codice RS:
- 214-9055
- Codice costruttore:
- IPD90N04S403ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 15 unità*
17,48 €
(IVA esclusa)
21,32 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- 17.085 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 1,165 € | 17,48 € |
| 75 - 135 | 1,107 € | 16,61 € |
| 150 - 360 | 1,059 € | 15,89 € |
| 375 - 735 | 1,013 € | 15,20 € |
| 750 + | 0,967 € | 14,51 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-9055
- Codice costruttore:
- IPD90N04S403ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 90A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.2mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 51nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 94W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.5mm | |
| Altezza | 2.3mm | |
| Larghezza | 6.22mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 90A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.2mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 51nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 94W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.5mm | ||
Altezza 2.3mm | ||
Larghezza 6.22mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon serie OptiMOS-T2, tensione massima della sorgente di drenaggio di 40 V, corrente di drenaggio continua massima di 90 A - IPD90N04S403ATMA1
Caratteristiche e vantaggi:
• La corrente di drenaggio continua di 90 A supporta l'erogazione di corrente elevata
• L'Rds(on) massimo di 3,2 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione di potenza massima di 94 W consente una notevole gestione del calore
• La carica di gate tipica di 51 nC consente un comportamento di commutazione prevedibile
• La tensione massima gate-sorgente di 20 V preserva il margine di isolamento del gate
Applicazioni
• Ideale per la commutazione di carichi ad alta corrente nei sistemi automobilistici
• Utilizzato con assemblaggi a montaggio superficiale che richiedono dispositivi di alimentazione compatti
• Può essere utilizzato per la rettifica sincrona nei convertitori
• Utilizzato per stadi di potenza termotolleranti esposti a temperature ampie
Quale intervallo ambientale può tollerare durante il funzionamento?
Quale tipo di contenitore viene utilizzato per il montaggio su scheda?
Quanti collegamenti elettrici fornisce il dispositivo?
Qual è la polarità del canale e la modalità di funzionamento?
Quale tensione diretta si può prevedere durante la conduzione?
Link consigliati
- MOSFET Infineon 3.2 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.7 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.7 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 3.8 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 9.5 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 12.3 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 5.3 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 3.5 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
