MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 3.2 mΩ Miglioramento, 90 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD90N04S403ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-9055
Codice costruttore:
IPD90N04S403ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

90A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-252

Serie

OptiMOS-T2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

94W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.5mm

Altezza

2.3mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.22 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

La gamma Infineon di nuovi OptiMOS -T2 offre una gamma di transistor MOSFET ad alta efficienza energetica con riduzione CO2 e azionamenti elettrici. La nuova famiglia di prodotti OptiMOS -T2 amplia le famiglie esistenti di OptiMOS -T e OptiMOS. I prodotti OptiMOS sono disponibili in contenitori ad alte prestazioni per affrontare le applicazioni più impegnative, offrendo la massima flessibilità in spazi limitati. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.

È certificato AEC Q101 per il settore automobilistico

Testato al 100% con effetto valanga

Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.

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