MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 90 mΩ Miglioramento, 3.2 A, 4 Pin, SOT-89, Superficie

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Codice RS:
145-8766
Codice costruttore:
BSS606NH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

SOT-89

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

90mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.7nC

Dissipazione di potenza massima Pd

1W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

2.5 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

4.5mm

Altezza

1.5mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY

MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, da 60 a 80 V


I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.

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Transistor MOSFET, Infineon


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