MOSFET Infineon, canale Tipo P 250 V, 20 Ω Miglioramento, 190 mA, 3 Pin, SOT-89, Superficie BSS192PH6327FTSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
753-2848
Codice costruttore:
BSS192PH6327FTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

190mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Serie

SIPMOS

Tipo di package

SOT-89

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.9nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

4.5mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.5mm

Altezza

1.5mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie SIPMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 250 V, corrente di drenaggio continua massima di 190 mA - BSS192PH6327FTSA1


Questo MOSFET è un dispositivo a canale P progettato per la commutazione di potenza a montaggio superficiale in ambienti elettrici impegnativi. Funziona come un transistor in modalità di potenziamento adatto per le applicazioni che richiedono una commutazione controllata ad alta tensione e una gestione a bassa corrente continua, funzionando su un'ampia gamma di temperature per l'uso in sistemi regolati e nell'elettronica automobilistica.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain‐source di 250 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 190 mA supporta il controllo del carico a bassa corrente
• Rds massimo di 20 Ω riduce la perdita di conduzione nei circuiti a bassa corrente
• La carica di gate tipica di 4,9 nC a Vgs garantisce un comportamento di commutazione prevedibile
• Il limite di sorgente gate a 20 V consente di realizzare progetti di gate drive in modo semplice
• La dissipazione di potenza massima di 1 W gestisce i vincoli termici in layout compatti

Applicazioni


• Adatto per la commutazione del percorso di alimentazione dei sensori automobilistici
• Ideale per circuiti di protezione contro l'inversione di polarità a bassa potenza
• Utilizzato con sottosistemi di gestione della batteria ad alta tensione
• Può essere utilizzato per la sostituzione di piccoli relè nei moduli di controllo
• Adatto per la distribuzione dell'alimentazione a montaggio superficiale su schede compatte

Quale intervallo termico può tollerare in condizioni difficili?


Funziona in modo affidabile da -55 °C fino a 150 °C per adattarsi ad ambienti con temperature estese.

Quanti pin presenta il pacchetto per il layout del circuito stampato?


Il componente è fornito con tre pin, consentendo il routing standard SOT‐89 footprint.

Quale tipo di contenitore devono aspettarsi i progettisti per l'assemblaggio?


Viene fornito in un pacchetto SOT‐89 a montaggio superficiale, progettato su misura per progetti di schede compatte.

Il dispositivo è classificato secondo gli standard di qualificazione automobilistica?


È conforme a AEC‐Q101, soddisfacendo lo stress screening industriale per l'uso automobilistico.

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