MOSFET Infineon, canale N 100 V, 10 Ω Miglioramento, 190 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie
- Codice RS:
- 827-0011
- Codice Distrelec:
- 304-44-422
- Codice costruttore:
- BSS123NH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 500 unità*
47,00 €
(IVA esclusa)
57,50 €
(IVA inclusa)
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- 2500 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 500 - 500 | 0,094 € | 47,00 € |
| 1000 - 2000 | 0,069 € | 34,50 € |
| 2500 - 4500 | 0,065 € | 32,50 € |
| 5000 - 12000 | 0,061 € | 30,50 € |
| 12500 + | 0,056 € | 28,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 827-0011
- Codice Distrelec:
- 304-44-422
- Codice costruttore:
- BSS123NH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 190mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 10Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 500mW | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Tensione diretta Vf | 800mV | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 1.3mm | |
| Lunghezza | 2.9mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 190mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 10Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 500mW | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Tensione diretta Vf 800mV | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 1.3mm | ||
Lunghezza 2.9mm | ||
Altezza 1mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Non applicabile
MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio 100 V, resistenza massima della sorgente di drenaggio 10 Ω - BSS123NH6327XTSA1
Caratteristiche e vantaggi:
• Rds(on) di 10 Ω semplifica la protezione a bassa potenza e la limitazione della corrente
• La carica di gate tipica di 0,6 nC riduce al minimo le perdite di commutazione
• La corrente di drenaggio continua di 190 mA supporta il controllo del carico leggero
• La tensione nominale di gate di 20 V consente la compatibilità con i comuni livelli di azionamento
• La dissipazione di potenza di 500 mW gestisce carichi termici modesti
Applicazioni
• Ideale per la commutazione di carichi a bassa corrente nei moduli di controllo
• Utilizzato con interfacce a spostamento di livello in sistemi a tensione mista
• Può essere utilizzato per l'isolamento del segnale nelle periferiche automobilistiche
• Adatto per reti di distribuzione dell'alimentazione a limitazione termica
Quali condizioni di temperatura può sopportare durante il funzionamento?
Quale montaggio e configurazione dei pin utilizza?
In che modo la sua struttura influisce sulla selezione per i progetti automobilistici?
Come deve essere gestita la dissipazione termica su un circuito stampato?
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