MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 10 Ω Miglioramento, 190 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS123NH6327XTSA1

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

156,00 €

(IVA esclusa)

189,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 9000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,052 €156,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
165-5862
Codice costruttore:
BSS123NH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

190mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SOT-23

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Tensione diretta Vf

0.8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.3 mm

Altezza

1mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

2.9mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Non applicabile

Paese di origine:
CN

MOSFET a segnale ridotto Infineon OptiMOS™


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Link consigliati