MOSFET Infineon, canale N 100 V, 10 Ω Miglioramento, 190 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS123NH6327XTSA1

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Codice RS:
165-5862
Codice costruttore:
BSS123NH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

190mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SOT-23

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

800mV

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.3mm

Lunghezza

2.9mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Non applicabile

Paese di origine:
CN

MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio 100 V, resistenza massima della sorgente di drenaggio 10 Ω - BSS123NH6327XTSA1


Questo MOSFET è un transistor di potenziamento a canale N a montaggio superficiale progettato per attività di commutazione e controllo in assemblaggi elettronici compatti. È progettato per l'uso in un ampio intervallo termico e in applicazioni in cui è richiesta una bassa carica di commutazione e una gestione della corrente conservativa. Il dispositivo è fornito in un contenitore SOT-23 per un semplice montaggio su circuito stampato ed è adatto per ambienti che richiedono la robustezza dei componenti di livello automobilistico.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain-source 100 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione
• Rds(on) di 10 Ω semplifica la protezione a bassa potenza e la limitazione della corrente
• La carica di gate tipica di 0,6 nC riduce al minimo le perdite di commutazione
• La corrente di drenaggio continua di 190 mA supporta il controllo del carico leggero
• La tensione nominale di gate di 20 V consente la compatibilità con i comuni livelli di azionamento
• La dissipazione di potenza di 500 mW gestisce carichi termici modesti

Applicazioni


• Adatto per circuiti di rilevamento della gestione della batteria
• Ideale per la commutazione di carichi a bassa corrente nei moduli di controllo
• Utilizzato con interfacce a spostamento di livello in sistemi a tensione mista
• Può essere utilizzato per l'isolamento del segnale nelle periferiche automobilistiche
• Adatto per reti di distribuzione dell'alimentazione a limitazione termica

Quali condizioni di temperatura può sopportare durante il funzionamento?


Funziona in un'ampia gamma da -55 °C a 150 °C, consentendo l'uso sia in ambienti con avviamento a freddo che ad alto calore.

Quale montaggio e configurazione dei pin utilizza?


Viene fornito in un pacchetto SOT-23 a tre pin per montaggio superficiale, ottimizzato per l'assemblaggio automatizzato di circuiti stampati e layout a fattore di forma ridotto.

In che modo la sua struttura influisce sulla selezione per i progetti automobilistici?


Il dispositivo soddisfa uno standard di test di resistenza automobilistico, il che lo rende adatto nei casi in cui i componenti devono tollerare i requisiti di qualificazione automobilistica.

Come deve essere gestita la dissipazione termica su un circuito stampato?


Con un limite di dissipazione di 500 mW, i progettisti devono fornire un'adeguata area di rame o vie termiche per diffondere il calore e mantenere le temperature di giunzione entro limiti sicuri.

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