MOSFET Infineon, canale N 100 V, 10 Ω Miglioramento, 190 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS119NH6327XTSA1

Codice RS:: 165-5873
Codice costruttore:: BSS119NH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 100 V, 10 Ω Miglioramento, 190 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS119NH6327XTSA1

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Codice RS:: 165-5873
Codice costruttore:: BSS119NH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	190mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Tipo di package	SOT-23
	Serie	OptiMOS
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	10Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	0.6nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	500mW
	Tensione diretta Vf	800mV
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	1.3mm
	Lunghezza	2.9mm
	Altezza	1mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 190mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Tipo di package SOT-23
	Serie OptiMOS
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 10Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.6nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 500mW
	Tensione diretta Vf 800mV
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 1.3mm
	Lunghezza 2.9mm
	Altezza 1mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico AEC-Q101

Paese di origine:: CN

MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 100 V, corrente di drenaggio continua massima di 190 mA - BSS119NH6327XTSA1

Questo MOSFET è un transistor a canale N a montaggio superficiale progettato per attività di commutazione e amplificazione in assemblaggi elettronici compatti. Funziona in un ampio intervallo di temperature adatto per ambienti difficili ed è progettato per l'uso in condizioni in cui è accettabile una bassa dissipazione di potenza e una capacità di corrente modesta. Il dispositivo viene fornito in un contenitore SOT-23 a tre pin ottimizzato per l'assemblaggio automatizzato di circuiti stampati.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale da drenaggio a sorgente di 100 V consente la commutazione ad alta tensione
• Rds massimo di 10 Ω fornisce basse perdite di conduzione per piccoli carichi
• La dissipazione di potenza massima di 500 mW gestisce il carico termico in circuiti compatti
• La corrente di drenaggio continua di 190 mA supporta applicazioni di controllo a bassa corrente
• La carica di gate tipica di 0,6 nC consente una commutazione più rapida con un'energia di azionamento minima
• La tolleranza gate di ±20 V consente un'ampia gamma di gate drive

Applicazioni

• Adatto per la commutazione e il controllo dei segnali dei sensori automobilistici
• Ideale per la gestione dell'alimentazione a bassa corrente per impieghi generici
• Utilizzato con circuiti di monitoraggio della gestione della batteria nei veicoli
• Può essere utilizzato per lo spostamento di livello ad alta tensione a piccolo segnale
• Utilizzato per i driver dello stadio gate in progetti di convertitori a bassa potenza

Quale metodo di montaggio è necessario per l'assemblaggio del circuito stampato?

È progettato per il montaggio superficiale in un ingombro SOT-23 a tre terminali compatibile con i processi pick-and-place standard.

Come si comporta a temperature estreme?

È classificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, mantenendo la funzionalità in intervalli termici di livello automobilistico.

Quali sono le considerazioni da fare sull'azionamento del gate?

Il dispositivo accetta fino a ±20 V sul gate e ha una bassa carica tipica del gate di 0,6 nC, riducendo i requisiti energetici del driver e consentendo circuiti di azionamento più piccoli.

Quale copertura meccanica devono consentire i progettisti?

Il pacchetto misura 2,9 x 1,3 x 1 mm, consentendo layout di circuiti stampati densi e fornendo al contempo la distanza di dispersione necessaria per la sua classe di tensione.