MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 10 Ω Miglioramento, 190 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
827-0119
Codice Distrelec:
304-44-421
Codice costruttore:
BSS119NH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

190mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SOT-23

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.3 mm

Lunghezza

2.9mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET a segnale ridotto Infineon OptiMOS™


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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