MOSFET Nexperia, canale N 100 V, 10 Ω Miglioramento, 190 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie BST82,215

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
112-5548
Codice costruttore:
BST82,215
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

190mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

BST82

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

-1.6V

Minima temperatura operativa

-65°C

Dissipazione di potenza massima Pd

830mW

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3mm

Larghezza

1.4mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale N, oltre 100 V, Nexperia


Transistor MOSFET, NXP Semiconductors


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