MOSFET Microchip, canale Tipo P 100 V Miglioramento, 3 Pin, SOT-89, Superficie TP2510N8-G
- Codice RS:
- 333-254
- Codice costruttore:
- TP2510N8-G
- Costruttore:
- Microchip
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3616,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 1,808 € | 3.616,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 333-254
- Codice costruttore:
- TP2510N8-G
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
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Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | TP2510 | |
| Tipo di package | SOT-89 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie TP2510 | ||
Tipo di package SOT-89 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Microchip è un transistor a bassa soglia in modalità Enhancement che utilizza una struttura DMOS verticale e un processo di produzione del gate in silicio ben collaudato.
Questa combinazione produce un dispositivo con le capacità di gestione della potenza dei transistor bipolari e l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo
intrinseco dei dispositivi MOS. Caratteristico di tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di dispersione termica e rottura secondaria indotta termicamente.
2V soglia bassa massima
Elevata impedenza di ingresso
125 pF capacità di ingresso bassa massima
Velocità di commutazione rapida
Bassa resistenza in stato attivo
Privo di guasti secondari
Bassa perdita in ingresso e in uscita
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