MOSFET Microchip, canale Tipo P 500 V, 35 Ω Miglioramento, 160 mA, 3 Pin, SOT-89, Superficie VP2450N8-G

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

8,06 €

(IVA esclusa)

9,835 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 1920 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 +1,612 €8,06 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
177-9737
Codice costruttore:
VP2450N8-G
Costruttore:
Microchip
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Microchip

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

160mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Tipo di package

SOT-89

Serie

VP2450

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

35Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.8V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.6W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

4.6mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.6mm

Larghezza

2.6 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW
Questo transistor (normalmente inattivo) a bassa soglia in modalità potenziata utilizza una struttura DMOS verticale e un consolidato processo di produzione di gate di silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I DMOS FET verticali sono ideali per una vasta gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di scarica, un’elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapidità di commutazione.

Privi di scarica secondaria

Basso requisito di potenza di azionamento

Facilità di collegamento in parallelo

Basso CISS e rapida velocità di commutazione

Elevata impedenza di ingresso e alto guadagno

Stabilità termica eccellente

Diodo source-drain integrato

Link consigliati