MOSFET singoli Microchip, canale Tipo N 100 V, 1.5 Ω Miglioramento, 0.73 A, 3 Pin, SOT-89, Superficie TN2510N8-G

Il transistor a bassa soglia, con modalità di potenziamento (normalmente spento) di Microchip utilizza una struttura DMOS verticale e un collaudato processo di produzione con gate in silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le capacità di gestione della potenza dei transistor bipolari e l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo tipico dei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I FET DMOS verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di scarica, un'elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapidità di commutazione.

Velocità di commutazione rapide