MOSFET onsemi, canale N, 0,035 Ω, 7,2 A, SOT-223, Montaggio superficiale

I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.

on Semiconductor NDT451AN è un transistor di potenza a effetto di campo con modalità potenziata a canale SOT N prodotti utilizzando alta densità di celle, tecnologia DMOS. Questo processo ad altissima densità è particolarmente personalizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e fornire prestazioni di commutazione superiori.

Elevata potenza e capacità di gestione della corrente in un contenitore per montaggio superficiale ampiamente utilizzato

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.