MOSFET Vishay, canale Tipo P 5.5 V, 147 mΩ, 1.2 A, 6 Pin, SC-70-6, Superficie SIP32431DR3-T1GE3

Codice RS:: 180-7353
Codice costruttore:: SIP32431DR3-T1GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo P 5.5 V, 147 mΩ, 1.2 A, 6 Pin, SC-70-6, Superficie SIP32431DR3-T1GE3

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:: 180-7353
Codice costruttore:: SIP32431DR3-T1GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	1.2A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	5.5V
	Tipo di package	SC-70-6
	Serie	SiP32431DR
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	147mΩ
	Dissipazione di potenza massima Pd	250mW
	Minima temperatura operativa	-40°C
	Temperatura massima di funzionamento	85°C
	Altezza	1.1mm
	Lunghezza	2.15mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Larghezza	2.2mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 1.2A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 5.5V
	Tipo di package SC-70-6
	Serie SiP32431DR
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 147mΩ
	Dissipazione di potenza massima Pd 250mW
	Minima temperatura operativa -40°C
	Temperatura massima di funzionamento 85°C
	Altezza 1.1mm
	Lunghezza 2.15mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Larghezza 2.2mm
	Standard automobilistico No

Datasheet

Paese di origine:: TW

MOSFET serie SiP32431DR di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 5,5 V, corrente di drenaggio continua massima di 1,2 A - SIP32431DR3-T1GE3

Questo MOSFET è un transistor a montaggio superficiale a canale P progettato per la commutazione a bassa tensione in assemblaggi elettronici compatti. Funziona in un intervallo di temperatura modesto per ambienti industriali tipici ed è fornito in un piccolo contenitore SMD a 6 conduttori adatto per layout di schede densi. Il dispositivo si rivolge alle applicazioni che richiedono una commutazione a bassa corrente controllata e una gestione della potenza modesta in sistemi automatizzati ed elettronici.

Caratteristiche e vantaggi:

• La tensione massima di drenaggio della sorgente di 5,5 V consente la commutazione a bassa tensione
• La corrente nominale di drenaggio continuo di 1,2 A supporta correnti di carico moderate
• La resistenza di accensione drain‐source 147 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza di 250 mW limita l'aumento termico in condizioni stabili
• L'intervallo di funzionamento da -40 a 85 °C consente l'uso in ambienti comuni
• La conformità alla direttiva RoHS semplifica la gestione dei materiali dei prodotti finali

Applicazioni

• Adatto per l'azionamento del gate e il cambiamento di livello nei moduli di controllo
• Ideale per la gestione delle disconnessioni a bassa tensione della batteria
• Utilizzato per la commutazione del carico nei sensori di automazione compatti
• Può essere utilizzato per la protezione del percorso del segnale nelle apparecchiature di misurazione
• Utilizzato con piccoli circuiti di gestione dell'alimentazione su circuiti stampati densi

Quale stile di montaggio utilizza per l'assemblaggio del circuito stampato?

Si tratta di un dispositivo a montaggio superficiale in un contenitore SC‐70‐6 a sei conduttori per il posizionamento automatizzato.

In che modo il dispositivo gestisce i limiti termici durante il funzionamento continuo?

La sua dissipazione di potenza massima costante è di 250 mW, pertanto il design termico della scheda e l'area in rame devono corrispondere alla dissipazione prevista per mantenere temperature di giunzione sicure.

Questo dispositivo è adatto per la qualifica dei sistemi automobilistici?

Non è specificato come standard automobilistico approvato e non deve essere assunto per i sistemi di veicoli qualificati.

Che tipo di conduzione fornisce il transistor?

Il componente è un MOSFET a canale P, che fornisce una conduzione del canale di tipo P per la commutazione sensibile all'alto lato o alla polarità.