MOSFET Vishay, canale Tipo P 5.5 V, 147 mΩ, 1.2 A, 6 Pin, SC-70-6, Superficie SIP32431DR3-T1GE3

Questo MOSFET è un transistor a montaggio superficiale a canale P progettato per la commutazione a bassa tensione in assemblaggi elettronici compatti. Funziona in un intervallo di temperatura modesto per ambienti industriali tipici ed è fornito in un piccolo contenitore SMD a 6 conduttori adatto per layout di schede densi. Il dispositivo si rivolge alle applicazioni che richiedono una commutazione a bassa corrente controllata e una gestione della potenza modesta in sistemi automatizzati ed elettronici.

• La tensione massima di drenaggio della sorgente di 5,5 V consente la commutazione a bassa tensione
• La corrente nominale di drenaggio continuo di 1,2 A supporta correnti di carico moderate
• La resistenza di accensione drain‐source 147 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza di 250 mW limita l'aumento termico in condizioni stabili
• L'intervallo di funzionamento da -40 a 85 °C consente l'uso in ambienti comuni
• La conformità alla direttiva RoHS semplifica la gestione dei materiali dei prodotti finali

• Adatto per l'azionamento del gate e il cambiamento di livello nei moduli di controllo
• Ideale per la gestione delle disconnessioni a bassa tensione della batteria
• Utilizzato per la commutazione del carico nei sensori di automazione compatti
• Può essere utilizzato per la protezione del percorso del segnale nelle apparecchiature di misurazione
• Utilizzato con piccoli circuiti di gestione dell'alimentazione su circuiti stampati densi

Si tratta di un dispositivo a montaggio superficiale in un contenitore SC‐70‐6 a sei conduttori per il posizionamento automatizzato.

La sua dissipazione di potenza massima costante è di 250 mW, pertanto il design termico della scheda e l'area in rame devono corrispondere alla dissipazione prevista per mantenere temperature di giunzione sicure.

Non è specificato come standard automobilistico approvato e non deve essere assunto per i sistemi di veicoli qualificati.

Il componente è un MOSFET a canale P, che fornisce una conduzione del canale di tipo P per la commutazione sensibile all'alto lato o alla polarità.