MOSFET Vishay, canale Canale N 1200 V, 79 mΩ N, 41 A, 7 Pin, TO 263-7L, Superficie MXP120A063SE-T1GE3

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Codice RS:
790-412
Codice costruttore:
MXP120A063SE-T1GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

41A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

TO 263-7L

Serie

MaxSiC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

79mΩ

Modalità canale

N

Dissipazione di potenza massima Pd

221W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

58nC

Tensione diretta Vf

4.8V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

4.5mm

Lunghezza

9.23mm

Larghezza

10.28mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW
Il MOSFET SiC a canale N ad alte prestazioni di Vishay è progettato per una gestione efficiente dell'alimentazione in applicazioni impegnative. Si distingue per la sua capacità di gestire alte tensioni e garantire un funzionamento affidabile.

La velocità di commutazione migliora le prestazioni complessive del sistema

Il tempo di resistenza ai cortocircuiti di 3 μs garantisce l'affidabilità durante i guasti

L'intervallo di tensione d'esercizio per il controllo gate-source ottimizza la flessibilità

La capacità di corrente di drenaggio continua supporta un robusto trasferimento di energia

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