Semiconduttore di potenza Vishay, canale Canale N 1200 V, 82 mΩ N, 52 A, 7 Pin, TO 263-7L, SMD MXP120A045SE-T1GE3

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Codice RS:
736-648
Codice costruttore:
MXP120A045SE-T1GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

Semiconduttore di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

52A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

TO 263-7L

Serie

MXP

Tipo montaggio

SMD

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

82mΩ

Modalità canale

N

Dissipazione di potenza massima Pd

268W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

82nC

Tensione diretta Vf

4.9V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW
Il Sic Mosfet a canale N di Vishay offre prestazioni eccezionali per gli inverter solari ad alta potenza e i sistemi di accumulo di energia. Questo robusto componente dà priorità alla sicurezza operativa offrendo un tempo di resistenza al cortocircuito affidabile di 3 microsecondi per l'elettronica più esigente.

Velocità di commutazione rapida per un'elevata efficienza

Tecnologia avanzata in carburo di silicio

Maggiore affidabilità per alimentatori ininterrotti

Categorizzazione dei materiali conforme agli standard industriali

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