MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 13 mΩ, 82 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
214-4443
Codice costruttore:
IRF2807STRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

82A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

230W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

160nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET di potenza Infineon HEXFET utilizza Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Questo vantaggio combinato con l'elevata velocità di commutazione e robustezza il design del dispositivo fornisce un dispositivo affidabile ed efficiente

È completamente classificato con effetto valanga

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