MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 2.7 mΩ N, 166 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB027N10N5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-3027
Codice costruttore:
IPB027N10N5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

166A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

OptiMOS 5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.7mΩ

Modalità canale

N

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™ 5 100V. È stato progettato appositamente per la rettifica sincrona in blocchi di telecomunicazioni, tra cui OR-ing, hot swap e protezione della batteria, nonché per applicazioni di alimentazione per server.

RDS(ON) resistenza molto bassa in stato attivo

Canale N, livello normale

Testato con effetto valanga al 100%

Placcatura senza piombo

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