MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 2.4 mΩ N, 166 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB024N08N5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-3789
Codice costruttore:
IPB024N08N5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

166A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

iPB

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.4mΩ

Modalità canale

N

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.92V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

99nC

Dissipazione di potenza massima Pd

214W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza industriale Infineon OptiMOS 5 da 80 V offre una riduzione RDS(on) del 43% rispetto alle generazioni precedenti ed è ideale per frequenze di commutazione elevate. I dispositivi di questa famiglia sono appositamente progettati per la rettifica sincrona in alimentatori per telecomunicazioni e server. Inoltre, possono essere utilizzati anche in altre applicazioni industriali come ad esempio azionamenti solari, a bassa tensione e adattatori.

Ottimizzato per la rettifica sincrona

Ideale per l'alta frequenza di commutazione

Meno parallelo richiesto

Maggiore densità di potenza

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