MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 2.7 mΩ N, 166 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 218-3026
- Codice costruttore:
- IPB027N10N5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*
2002,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 2,002 € | 2.002,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 218-3026
- Codice costruttore:
- IPB027N10N5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 166A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.7mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 166A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.7mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™ 5 100V. È stato progettato appositamente per la rettifica sincrona in blocchi di telecomunicazioni, tra cui OR-ing, hot swap e protezione della batteria, nonché per applicazioni di alimentazione per server.
RDS(ON) resistenza molto bassa in stato attivo
Canale N, livello normale
Testato con effetto valanga al 100%
Placcatura senza piombo
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