MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 155 mΩ N, 15 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB65R155CFD7ATMA1

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

18,54 €

(IVA esclusa)

22,62 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 965 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 203,708 €18,54 €
25 - 453,264 €16,32 €
50 - 1203,04 €15,20 €
125 - 2452,856 €14,28 €
250 +2,632 €13,16 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
236-3660
Codice costruttore:
IPB65R155CFD7ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

15A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Serie

CoolMOS

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

155mΩ

Modalità canale

N

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a super giunzione Infineon CoolMOS con diodo integrato a corpo rapido è la scelta perfetta per topologie risonanti ad alta potenza. È la soluzione ideale per le applicazioni industriali, come server, telecomunicazioni, impianti solari e stazioni di ricarica EV, in cui consente miglioramenti significativi dell'efficienza rispetto alla concorrenza. Ha una corrente di drain di 12 A.

Eccellente robustezza di commutazione rigida

Ulteriore margine di sicurezza per i progetti con maggiore tensione bus

Maggiore densità di potenza

Eccezionale efficienza con carichi leggeri in applicazioni SMPS industriali

Migliore efficienza a pieno carico in applicazioni SMPS industriali

Competitività dei prezzi rispetto alle offerte alternative sul mercato

Link consigliati