MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 40.7 mΩ N, 22.4 A, TO-263, Superficie IPB65R150CFDATMA2
- Codice RS:
- 258-3811
- Codice costruttore:
- IPB65R150CFDATMA2
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 258-3811
- Codice costruttore:
- IPB65R150CFDATMA2
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 22.4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 700V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 40.7mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 22.4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 700V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 40.7mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Infineon 650 V CoolMOS CFD2 è la seconda generazione di MOSFET CoolMOS ad alta tensione leader del mercato con diodo a corpo rapido integrato. I dispositivi CFD2 sono il successore del CFD a 600 V con una migliore efficienza energetica. Il comportamento di commutazione più morbido e quindi un migliore comportamento EMI conferiscono a questo prodotto un chiaro vantaggio rispetto alle parti concorrenti.
Facile da progettare
Prezzo inferiore rispetto alla tecnologia CFD a 600 V
Basso Qoss
Tempi di ritardo di accensione e di attivazione ridotti
Eccellente qualità CoolMOS
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