MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 40.7 mΩ N, 211 A, TO-263, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

3178,00 €

(IVA esclusa)

3877,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 29 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
1000 +3,178 €3.178,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
258-3826
Codice costruttore:
IPBE65R050CFD7AATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

211A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

iPB

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40.7mΩ

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

1.2V

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La tecnologia Infineon CoolMOS C3A è stata progettata per soddisfare le crescenti esigenze di tensioni di sistema più elevate nell'area dei veicoli elettrici, come PHEV e BEV.

Qualità e affidabilità migliori della categoria

Maggiore tensione di rottura

Elevata capacità di corrente di picco

Link consigliati