MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 40.7 mΩ N, 22.4 A, TO-263, Superficie

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Codice RS:
258-3810
Codice costruttore:
IPB65R150CFDATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

22.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Tipo di package

TO-263

Serie

iPB

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40.7mΩ

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

1.2V

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Infineon 650 V CoolMOS CFD2 è la seconda generazione di MOSFET CoolMOS ad alta tensione leader del mercato con diodo a corpo rapido integrato. I dispositivi CFD2 sono il successore del CFD a 600 V con una migliore efficienza energetica. Il comportamento di commutazione più morbido e quindi un migliore comportamento EMI conferiscono a questo prodotto un chiaro vantaggio rispetto alle parti concorrenti.

Facile da progettare

Prezzo inferiore rispetto alla tecnologia CFD a 600 V

Basso Qoss

Tempi di ritardo di accensione e di attivazione ridotti

Eccellente qualità CoolMOS

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