MOSFET Infineon, canale N, 0,155 Ω, 15 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 236-3659
Codice costruttore:: IPB65R155CFD7ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 0,155 Ω, 15 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 1000)

1,717 €

(IVA esclusa)

2,095 €

(IVA inclusa)

965 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

Unità	Per unità	Per bobina*
1000 +	1,717 €	1.717,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 236-3659
Codice costruttore:: IPB65R155CFD7ATMA1
Costruttore:: Infineon

Datasheet - IPB65R155CFD7ATMA1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	15 A
Tensione massima drain source	700 V
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Serie	CoolMOS™
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	0,155 Ω
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Numero di elementi per chip	1

MOSFET Infineon, canale N, 0,155 Ω, 15 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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