MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 125 mΩ N, 19 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB65R125CFD7ATMA1

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Codice RS:
236-3657
Codice costruttore:
IPB65R125CFD7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

19A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Tipo di package

TO-263

Serie

CoolMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

N

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a super giunzione Infineon CoolMOS con diodo integrato a corpo rapido è la scelta perfetta per topologie risonanti ad alta potenza. È la soluzione ideale per le applicazioni industriali, come server, telecomunicazioni, impianti solari e stazioni di ricarica EV, in cui consente miglioramenti significativi dell'efficienza rispetto alla concorrenza. Ha una corrente di drain di 15 A.

Eccellente robustezza di commutazione rigida

Ulteriore margine di sicurezza per i progetti con maggiore tensione bus

Maggiore densità di potenza

Eccezionale efficienza con carichi leggeri in applicazioni SMPS industriali

Migliore efficienza a pieno carico in applicazioni SMPS industriali

Competitività dei prezzi rispetto alle offerte alternative sul mercato

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