MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 10 mΩ, 88 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

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Codice RS:
214-4458
Codice costruttore:
IRFS4410TRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

88A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

200W

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

180nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET di potenza Infineon HEXFET ha gate, effetto valanga e robustezza dinamica dv/dt migliorati. È adatto per la rettifica sincrona a elevata efficienza in SMPS.

È senza alogeni in conformità a IEC61249-2-21

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