Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 77.5 mΩ, 24 A, TO-263

Name: MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 77.5 mΩ, 24 A, TO-263
Brand: Infineon
SKU: 257-9434
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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	24A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	200V
	Tipo di package	TO-263
	Serie	HEXFET
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	77.5mΩ
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	25nC
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	144W
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 24A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V
	Tipo di package TO-263
	Serie HEXFET
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 77.5mΩ
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 25nC
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 144W
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

La serie IRFS di Infineon è costituita da mosfet di potenza HEXFET a canale n singolo da 200 V in un contenitore D2 Pak.

Migliore robustezza del gate, valanga e dinamica dV/dt

Capacità completamente caratterizzata e SOA a valanga

Diodo con corpo migliorato con capacità dV/dt e dI/dt senza piombo

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