MOSFET Infineon, canale N 200 V, 77.5 mΩ Miglioramento, 24 A, TO-263, Foro passante

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Codice RS:
257-9434
Codice costruttore:
IRFS4620TRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

24A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Foro passante

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

77.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

144W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima drain-source 200 V, corrente di drenaggio continua massima 24 A - IRFS4620TRLPBF


Questo MOSFET è un transistor di potenza a canale N in modalità di potenziamento progettato per attività di commutazione ad alta tensione e conversione di potenza. È fornito in un contenitore TO-263 adatto per gruppi di alimentazione montati su scheda e funziona in un intervallo di temperatura esteso per ambienti difficili. Il dispositivo incorpora un diodo intrinseco con una tensione diretta specificata ed è conforme alla direttiva RoHS.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di 200 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La corrente continua di 24 A supporta una gestione del carico sostanziale
• L'RDS(on) di 77.5 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La dissipazione di potenza di 144 W consente un carico termico elevato
• La carica tipica del gate a 25 nC garantisce requisiti di azionamento prevedibili

Applicazioni


• Adatto per gli stadi dei convertitori CC-CC ad alta tensione
• Ideale per interruttori di uscita di alimentazione a commutazione
• Utilizzato con controller di azionamento motore in gruppi di alimentazione
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico nell'elettronica industriale
• Adatto per la gestione dell'alimentazione in sistemi non automobilistici

Quali sono le considerazioni sull'azionamento del gate da prendere in considerazione?


Aspettarsi una carica di gate totale tipica di 25 nC a VGS

scegliere un driver in grado di generare e dissipare una corrente sufficiente per ottenere la velocità di commutazione desiderata.

In che modo la capacità termica influisce sulla progettazione dei circuiti stampati?


Con una dissipazione di potenza massima di 144 W, garantire un'adeguata area di rame o dissipatore e vie termiche per gestire il trasferimento di calore dalla giunzione all'ambiente.

Quali sono i limiti per le tensioni di controllo e di segnale?


Il gate può essere azionato fino a 20 V rispetto alla sorgente

le escursioni gate-source non devono superare questo valore.

Quale intervallo di temperatura può tollerare durante il funzionamento?


Il dispositivo è specificato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C per applicazioni ad ampio intervallo di temperatura.

Quali sono le caratteristiche del diodo importanti per la conduzione inversa?


Il diodo intrinseco presenta una tensione diretta di 1,3 V che influisce sulle perdite di conduzione durante gli eventi di corrente inversa.

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