MOSFET Infineon, canale N 200 V, 26 mΩ, 62 A, TO-263, Superficie

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Codice RS:
257-9430
Codice costruttore:
IRFS4227TRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

62A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

26mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

330W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

70nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

La serie IRFS di Infineon è costituita da interruttori PDP HEXFET di potenza Mosfet a canale n singolo da 200 V in un contenitore D2 Pak.

Tecnologia di processo avanzata

Parametri chiave ottimizzati per il mantenimento PDP, il recupero di energia e le applicazioni di interruttore di passaggio

Basso valore nominale dell'impulso E per ridurre la potenza

Dissipazione in applicazioni PDP di mantenimento, recupero di energia e interruttore di passaggio

Basso QG per una risposta rapida

Elevata capacità di corrente di picco ripetitiva per

Funzionamento affidabile

Tempi di caduta e salita brevi per una commutazione rapida

Temperatura di esercizio della giunzione di 175 °C per una maggiore robustezza

Capacità a valanga ripetitiva per una maggiore robustezza e affidabilità

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