MOSFET Infineon, canale N 200 V, 26 mΩ, 62 A, TO-263, Superficie IRFS4227TRLPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
257-9431
Codice costruttore:
IRFS4227TRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

62A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

26mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

70nC

Dissipazione di potenza massima Pd

330W

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

La serie IRFS di Infineon è costituita da interruttori PDP HEXFET di potenza Mosfet a canale n singolo da 200 V in un contenitore D2 Pak.

Tecnologia di processo avanzata

Parametri chiave ottimizzati per il mantenimento PDP, il recupero di energia e le applicazioni di interruttore di passaggio

Basso valore nominale dell'impulso E per ridurre la potenza

Dissipazione in applicazioni PDP di mantenimento, recupero di energia e interruttore di passaggio

Basso QG per una risposta rapida

Elevata capacità di corrente di picco ripetitiva per

Funzionamento affidabile

Tempi di caduta e salita brevi per una commutazione rapida

Temperatura di esercizio della giunzione di 175 °C per una maggiore robustezza

Capacità a valanga ripetitiva per una maggiore robustezza e affidabilità

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