MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 26 mΩ, 62 A, TO-263, Superficie IRFS4227TRLPBF
- Codice RS:
- 257-9431
- Codice costruttore:
- IRFS4227TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
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| 50 - 98 | 2,735 € | 5,47 € |
| 100 - 198 | 2,54 € | 5,08 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-9431
- Codice costruttore:
- IRFS4227TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 62A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 26mΩ | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 330W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 70nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 62A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 26mΩ | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 330W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 70nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie IRFS di Infineon è costituita da interruttori PDP HEXFET di potenza Mosfet a canale n singolo da 200 V in un contenitore D2 Pak.
Tecnologia di processo avanzata
Parametri chiave ottimizzati per il mantenimento PDP, il recupero di energia e le applicazioni di interruttore di passaggio
Basso valore nominale dell'impulso E per ridurre la potenza
Dissipazione in applicazioni PDP di mantenimento, recupero di energia e interruttore di passaggio
Basso QG per una risposta rapida
Elevata capacità di corrente di picco ripetitiva per
Funzionamento affidabile
Tempi di caduta e salita brevi per una commutazione rapida
Temperatura di esercizio della giunzione di 175 °C per una maggiore robustezza
Capacità a valanga ripetitiva per una maggiore robustezza e affidabilità
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