Transistor MOSFET + diodo Infineon, canale N, 0,0126 O, 62 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

I MOSFET di potenza a canale N OptiMOS di Infineon sono sviluppati per aumentare l'efficienza, la densità di potenza e l'efficacia in termini di costi. Progettati per applicazioni ad alte prestazioni e ottimizzati per un'elevata frequenza di commutazione, i prodotti OptiMOS convincono con la migliore figura di merito del settore. La gamma di MOSFET di potenza OptiMOS, ora completata da un forte IRFET, crea una combinazione davvero potente. Approfittate di una combinazione perfetta di robusti ed eccellenti prestazioni in termini di prezzo di MOSFET forti IRFET e della tecnologia migliore della categoria dei MOSFET OptiMOS. Entrambe le famiglie di prodotti rispondono ai più elevati standard di qualità e alle richieste di prestazioni. La gamma di giunzioni, che copre tensioni da MOSFET 12V fino a 300V, è in grado di soddisfare un'ampia gamma di esigenze, dalle basse alle alte frequenze di commutazione come SMPS, applicazioni alimentate a batteria, controllo di motori e azionamenti, inverter e informatica.

Struttura di celle planari per SOA estesa
Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Qualifica del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Silicio ottimizzato per le applicazioni con commutazione al di sotto Contenitore di potenza a montaggio superficiale standard industriale
Contenitore con capacità di trasporto di corrente elevata (fino a 195 A, in base alle dimensioni dello stampo)
In grado di essere saldato a onda