MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 54 mΩ, 43 A, TO-263, Superficie IRFS38N20DTRLP

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
257-9428
Codice costruttore:
IRFS38N20DTRLP
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

43A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

54mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

320W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

60nC

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

La serie IRFS Infineon è un MOSFET a infrarossi a canale singolo n da 200 V in un contenitore D2 Pak.

Struttura della cella planare per un'ampia SOA

Ottimizzato per la massima disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Silicio ottimizzato per applicazioni di commutazione al di sotto di 100 kHz

Contenitore di alimentazione per montaggio superficiale standard industriale

Contenitore con capacità di trasporto di corrente elevata (fino a 195 A, a seconda della dimensione dello stampo)

Possibilità di saldatura a onda

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