MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 54 mΩ, 43 A, TO-263, Superficie IRFS38N20DTRLP
- Codice RS:
- 257-9428
- Codice costruttore:
- IRFS38N20DTRLP
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,845 € | 5,69 € |
| 20 - 48 | 2,56 € | 5,12 € |
| 50 - 98 | 2,395 € | 4,79 € |
| 100 - 198 | 2,22 € | 4,44 € |
| 200 + | 2,075 € | 4,15 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-9428
- Codice costruttore:
- IRFS38N20DTRLP
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 43A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 54mΩ | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 320W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 60nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 43A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 54mΩ | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 320W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 60nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie IRFS Infineon è un MOSFET a infrarossi a canale singolo n da 200 V in un contenitore D2 Pak.
Struttura della cella planare per un'ampia SOA
Ottimizzato per la massima disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Silicio ottimizzato per applicazioni di commutazione al di sotto di 100 kHz
Contenitore di alimentazione per montaggio superficiale standard industriale
Contenitore con capacità di trasporto di corrente elevata (fino a 195 A, a seconda della dimensione dello stampo)
Possibilità di saldatura a onda