MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 15.8 mΩ Miglioramento, 43 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRFS3806TRLPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
827-4101
Codice costruttore:
IRFS3806TRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

43A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

15.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

71W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.67mm

Altezza

4.83mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di drenaggio continua massima di 43 A, dissipazione di potenza massima di 71 W - IRFS3806TRLPBF


Questo MOSFET è realizzato per garantire prestazioni ottimali in applicazioni ad alta efficienza. La sua configurazione in modalità enhancement è fondamentale per la gestione dell'energia e ne determina un utilizzo significativo in diversi sistemi elettronici. Supporta una commutazione e un'amplificazione del segnale efficienti, essenziali per settori come l'automazione, l'elettronica e l'industria elettrica e meccanica.

Caratteristiche e vantaggi


• Elevata capacità di corrente di drenaggio continua fino a 43A

• Funzionamento efficiente con una tensione massima drain-source di 60V

• La bassa resistenza di accensione riduce la perdita di potenza

• Idoneità alle applicazioni ad alta temperatura con un intervallo fino a +175°C

• Design a montaggio superficiale salvaspazio

• Maggiore robustezza contro le sollecitazioni dinamiche per prestazioni costanti

Applicazioni


• Ideale per scenari di commutazione di potenza ad alta velocità

• Utilizzato nei sistemi di continuità

• Applicabile nel raddrizzamento sincrono all'interno di alimentatori switching

• Adatto per circuiti a commutazione fissa e ad alta frequenza

Qual è la tensione massima gate-to-source?


La tensione massima gate-to-source di questo componente va da -20V a +20V, consentendo una certa flessibilità in vari progetti di circuiti.

In che modo la resistenza di accensione influisce sulla dissipazione di potenza?


La minore resistenza di accensione riduce al minimo la dissipazione di potenza durante il funzionamento, migliorando l'efficienza e le prestazioni termiche.

Qual è il costo tipico del cancello richiesto?


La carica tipica del gate con una tensione gate-source di 10 V è di 22nC, consentendo transizioni di commutazione rapide.

È compatibile con i progetti di PCB a montaggio superficiale?


Sì, il design a montaggio superficiale è adatto ai moderni layout dei circuiti stampati, facilitando l'integrazione in dispositivi elettronici compatti.

Quali sono i fattori da considerare quando si utilizza un MOSFET in applicazioni ad alta temperatura?


In caso di funzionamento ad alte temperature, assicurarsi che venga implementata un'adeguata gestione termica per rispettare il limite massimo di temperatura operativa di +175°C per garantire l'affidabilità.

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