MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 15.8 mΩ Miglioramento, 43 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRFS3806TRLPBF
- Codice RS:
- 827-4101
- Codice costruttore:
- IRFS3806TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 827-4101
- Codice costruttore:
- IRFS3806TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 43A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 15.8mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 71W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 22nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 9.65mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 43A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 15.8mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 71W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 22nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 9.65mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Altezza 4.83mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di drenaggio continua massima di 43 A, dissipazione di potenza massima di 71 W - IRFS3806TRLPBF
Questo MOSFET è realizzato per garantire prestazioni ottimali in applicazioni ad alta efficienza. La sua configurazione in modalità enhancement è fondamentale per la gestione dell'energia e ne determina un utilizzo significativo in diversi sistemi elettronici. Supporta una commutazione e un'amplificazione del segnale efficienti, essenziali per settori come l'automazione, l'elettronica e l'industria elettrica e meccanica.
Caratteristiche e vantaggi
• Elevata capacità di corrente di drenaggio continua fino a 43A
• Funzionamento efficiente con una tensione massima drain-source di 60V
• La bassa resistenza di accensione riduce la perdita di potenza
• Idoneità alle applicazioni ad alta temperatura con un intervallo fino a +175°C
• Design a montaggio superficiale salvaspazio
• Maggiore robustezza contro le sollecitazioni dinamiche per prestazioni costanti
Applicazioni
• Ideale per scenari di commutazione di potenza ad alta velocità
• Utilizzato nei sistemi di continuità
• Applicabile nel raddrizzamento sincrono all'interno di alimentatori switching
• Adatto per circuiti a commutazione fissa e ad alta frequenza
Qual è la tensione massima gate-to-source?
La tensione massima gate-to-source di questo componente va da -20V a +20V, consentendo una certa flessibilità in vari progetti di circuiti.
In che modo la resistenza di accensione influisce sulla dissipazione di potenza?
La minore resistenza di accensione riduce al minimo la dissipazione di potenza durante il funzionamento, migliorando l'efficienza e le prestazioni termiche.
Qual è il costo tipico del cancello richiesto?
La carica tipica del gate con una tensione gate-source di 10 V è di 22nC, consentendo transizioni di commutazione rapide.
È compatibile con i progetti di PCB a montaggio superficiale?
Sì, il design a montaggio superficiale è adatto ai moderni layout dei circuiti stampati, facilitando l'integrazione in dispositivi elettronici compatti.
Quali sono i fattori da considerare quando si utilizza un MOSFET in applicazioni ad alta temperatura?
In caso di funzionamento ad alte temperature, assicurarsi che venga implementata un'adeguata gestione termica per rispettare il limite massimo di temperatura operativa di +175°C per garantire l'affidabilità.
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